SiP/COC/CSP대응 플립 칩 본더 FC3000S

특징

사양

기판 치수 [mm] 세라믹 히터 사양 3L×3W~30L×30W t=0.025~1.6
constant heater 사양 30L×30W~230L×60W t=0.05~1.6
기판 종류 Glass Epoxy, FPC, Ceramics, etc.
칩 치수 [mm] 열압착 사양*1 3L×3W~20L×20W t=0.05~1
초음파 사양*2 3L×3W~15L×15W t=0.3~0.8
초저가압 사양 3L×3W~10L×10W t=0.05~1
칩의 종류 1~3
공급 방식 Face down
사이클 타임 *3 *4 6.0 [sec/chip]
얼라이먼트 정밀도 (3σ) *5 ±2 [µm] (X, Y)
가압력 [N] 고강성 헤드 9.8~490
초저가압 헤드 0.049~9.8
본딩 헤드 타입 Ultrasonic head 50kHz, 150W temperature RT, 100 [°C], 150 [°C], 180 [°C], 200 [°C]
Ceramic heater head temperature RT~450 [°C]
전원 3-phase, AC200V ±10%, 50/60Hz ±1Hz or 3-phase, AC220V ±10%, 50/60Hz ±1Hz, 10kVA
압공원 [MPa] Dry air 0.49
진공원 [kPa] -80
장비 치수[mm] Approx. 1030W × 1420D × 1880H (Height of signal light is included)
중량 [kg] Approx. 1500
표준기능 고강성 헤드
헤드 높이 컨트롤
자동온도 calibration
자동평행도 조정

Notes
*1 옵션으로 슬림 칩(Min.1W), 대형 칩(Max.30L × 30W)에 대한 대응이 가능.
*2 옵션으로 슬림 칩(Min.1W), 롱 칩(Max.28L × 10W)에 대한 대응이 가능.
*3 기판set시간은 불포함.
*4 C사이클 타임은 공법 택(서치-본딩-흡착파괴)를 제외한다.
*5 정밀도는 당사 기준 워크로 측정

공법

간단한 작업 교체로, 초음파공법, 열압착공법, 솔더공법에 대응.

工法

옵션

  1. 진공펌프
  2. 이오나이저
  3. N2퍼지
  4. 모니터링 PC

SiP/COC/CSP대응 플립 칩 본더 FC3000S에 관한 문의는 이 양식을 이용하여 주십시오.


Flip Chip Bonder (for SiP/COC/CSP) FC3000S
본더
SiP/COC/CSP대응 플립 칩 본더 FC3000S
초고정밀 플립 칩 본더 OF2000
문의
SiP/COC/CSP대응 플립 칩 본더 FC3000S에 관한 문의는 이 양식을 이용하여 주십시오.
문의 양식
TOP > 반도체 > 본더